半導体産業では、使用されるグラファイト材料の純度が可能な限り高くなることが必要です。特に、るつぼや焼結金などの半導体材料と直接接触しているグラファイトデバイスの場合、大量の不純物が半導体材料を汚染します。したがって、使用されるグラファイト原材料の純度を厳密に制御する必要があるだけでなく、灰分を最小限に抑えるために高温でグラフィット化する必要があります。
半導体産業では、使用されるグラファイト材料の微粒子サイズが必要です。微細な粒子サイズのグラファイトは、高精度で簡単に処理できるだけでなく、高温強度と低損失も高いです。特に、焼結に使用される金型には、高い処理精度が必要です。半導体業界で使用されるグラファイトデバイス（ヒーターや焼結ダイを含む）は、繰り返し加熱と冷却プロセスに耐える必要があるため、使用されるグラファイト材料は、デバイスのサービス寿命を改善するために高温で良好な寸法安定性と熱衝撃耐性を持つ必要があります。
未発火の石油コークスから作られたグラファイトは、機械的強度が高い細かい構造材料です。るつぼ、薄いプレート、ディスク、真空炉および高頻度の電気炉のための熱シールド、純粋な金属を溶かすためのグラファイト皿、高温の実験デバイス用のグリッパー（チャック）、ホットプレス型、フィルターなどの電子技術製品を製造するために使用できます。この材料は、2500度未満の温度で不活性または保護雰囲気で使用できます。
保護層を備えた超純度の高強度グラファイトは、通常の微細構造グラファイトを真空中に精製および脱ガスすることにより、続いて熱分解炭素での表面密度を高める処理によって作成されます。それらの製品（ヒーター、ディスク、グラファイト皿など）は、ガスエピタキシャル成長法によるシリコン薄膜を準備するために使用できます。熱分解炭素によって形成される密度を向上させる保護層の厚さは、2 mmを超えません。 0以下の厚さの熱分解グラファイトの薄い層も、密度強化物の表面に堆積することができます。